زمان شروع بحث تنها چیزی که در ذهن اینجانب بود، پرداختن به تفاوت ساختاری ترانسهای ولتاژ مغناطیسی و خازنی از حیث پاسخ فرکانسی آنها و تأثیر آن بر دقت انتقال سیگنال از یک سطح ولتاژ به سطح دیگر بود. اما بحث محتوایی که استاد محترم در مورد هارمونیک زایی اجزاء الکتریکی حاوی هسته مغناطیسی در سیستمهای الکتریکی مطرح نمودند ، بحث را به سمت یکی دیگر از موضوعات مهم و مناقشه انگیز مهندسی برق هدایت نمود که این از فواید بی بدیل تبادل افکار و آراء نزد افراد است. رفتار غیر خطی ترانسفورماتور در بعضی شرایط سبب افزایش محتوای هارمونیکی ولتاژ انتقالی می شود. اما این رفتار غیر خطی تنها به منحنی مغناطیسی ترانس محدود نمی شود. اگر چنین بود ما تنها با هارمونیکهای جریانی متأثر از جریان مغناطیس کننده ترانس و آن هم تنها در یک سوی آن مواجه بودیم. عامل دیگر رفتار غیر خطی ترانس در حوزه مدارهای الکتریکی ، مقاومت داخلی سیم پیچیهای آن است که سبب تبدیل هارمونیکهای جریانی به هارمونیکهای ولتاژی به سبب افت اهمی اتفاق افتاده روی مقاومت سیم پیچی است. این افت ولتاژ غیر سینوسی سبب اعمال یک emf حاوی هارمونیک به اولیه ترانس با وجود سینوسی بودن کامل ولتاژ ورودی می شود. emf غیر سینوسی نیز در انتقال از اولیه به ثانویه تأثیرات هارمونیک زایی ترانس در ولتاژ انتقالی را سبب می شود. خوب تا اینجای کار بحثهای تئوری در مورد تأثیر ترانس در افزایش محتوای هارمونیکی شکل موج ولتاژ انتقالی انجام شد، اما ببینیم این تأثیر تا چه حد است. جریان بی باری ترانسفورماتورهای قدرت امروزی چیزی در حد 2% جریان نامی آنها است و میزان امپدانس ترانس نیز در حدود 10 تا 15 درصد، اگر این دو مقدار اندک را با سهم 5/2 درصدی هارمونیک هفتم از جریان مغناطیس کننده ترانس ترکیب کنیم خواهیم دید که سهم هارمونیک زایی ترانس روی شکل موج ولتاژ نمی تواند از مقدار 007/0 درصد ولتاژ نامی بیشتر شود که اساساً قابل صرف نظر است. در مورد ترجیح اندازه گیری محتوای هارمونیک هفتم موج ولتاژ توسط ترانس ولتاژ مغناطیسی یا CVT توجه شما را به مدار داخلی CVT جلب می نمایم. ترانس ولتاژ خازنی شامل تعدادی مقسم خازنی کاهش دهنده ولتاژ فشار قوی تا سطح 5 تا 15 کیلو ولت و یک طبقه ترانس ولتاژ مغناطیسی جهت انطباق امپدانسی لازم بین دو سطح فشار قوی و ضعیف است. مدار LC موازی شکل یافته در طبقه خروجی یک مدار رزونانس حول نقطه کار 50 هرتز را تشکیل می دهد. ساختمان مذکور برای کار در شرایط ایده آل 50 هرتز بسیار مناسب است اما در گذر از شرایط عادی دقت عملکرد سیستم کاهش می یابد. در مدار شکل فوق راکتور جبران ساز هرگونه جابجایی فازی بین اولیه و ثانویه ناشی از طبقه خازنی CVT را خنثی می کند که این عمل تابع فرکانس کار سیستم است. از آنجا که امپدانس انتقالی از ثانویه طبقه خروجی به اولیه آن تابع شرایط بار است این انطباق به نوعی با میزان و نوع بار اتصال یافته به ثانویه CVT نیز ارتباط پیدا می کند. به هر حال چنانچه مشاهده می فرمائید موضوع انطباق فرکانسی اجزاء تشکیل دهنده CVT در دقت عملکرد آن مهم است و تعریف دقت سنجش آن نمی تواند بدون تعریف یک بازه فرکانس معین انجام شود. مطابق استاندارد IEEE 519 کمترین پیک پاسخ فرکانسی مدار رزونانس ترانسهای ولتاژ خازنی کمتر از 200 هرتز است که این خود یک محدوده اساسی برای سنجش فرکانسهای بالاتر از آن محسوب می شود، ازاینرو ترانسهای ولتلژ خازنی اساساً مجرای مناسبی برای سنجش هارمونیکها نیستند. خوشبختانه محدودیت اخیر برای پاسخ فرکانسی ترانسهای ولتاژ مغناطیسی وجود ندارد. محدوده دقت این ترانسها تا فرکانس کار 5 کیلو هرتز در حدود 3 درصد باقی می ماند که میزان قابل قبولی است.